如有疏漏之处，站准欢迎大家补充。
AIMD可以模拟高压和高温条件下（≈200bar和500K），新起层状iron–sulfurmineralmackinawite的缝隙中水。另外，点瞄大党根据受限的水膜的各向异性极化波动及其对化学反应的影响，对局部介电特性进行了量化
▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，建引济南以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。此外，矢志LG还表示当前正在开发智能眼镜。同时，推动司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，推动将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。
高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，国企改革关于合作目前不能透露细节，国企改革但我们确实在与三星电子、LG电子合作。司宏国表示，站准LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。
司宏国对XR设备的前景表示看好：新起我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。
三星和LG并未明确说明何时推出产品，点瞄大党报道称最早预计在明年上半年。建引济南文献链接：Dinitrogenbindingandactivationatamolybdenum-iron-sulfurcluster.NatureChemistry,2021,DOI:10.1038/s41557-021-00701-6.本文由CQR编译。
作者利用Ti金属自由基取代[Cp*MoFe3S4(IPr)2]簇中的一个，矢志导致额外的N-N键减弱、N-N键极化，并且伴随产生Fe-N多键特征。通过结构和光谱分析表明，推动N2活化伴随着Fe-S距离的缩短和来自每个Fe位点的电荷转移，包括那些不直接与N2结合的。
其中，国企改革虽然金属中心的形式氧化态相对较高，但是所制备的桥接[MoFe3S4]2(μ-η1:η1-N2)复合物具有显着减弱的N-N键。为了生成N2结合的Fe-S团簇，站准作者首先考虑了N2与FeMoco结合和N2与过渡金属分子配合物结合的机理共性。